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TPS1120DG4
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TI德州儀器公司完整型號:TPS1120DG4

制造廠家名稱:Texas Instruments

描述:MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC

系列:-

FET 類型:2 個 P 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):15V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):1.17A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):180 毫歐 @ 1.5A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):5.45nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-

功率 - 最大值:840mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC


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