- 產(chǎn)品型號:2SK879-GR(TE85L,F)
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:USM
- 功能類別:JFET結(jié)點(diǎn)場效應(yīng)管
- 功能描述:JFET N-CH USM
2SK879-GR(TE85L,F) >>> 東芝半導(dǎo)體芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供東芝半導(dǎo)體公司2SK879-GR(TE85L,F)報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購2SK879-GR(TE85L,F)?不再猶豫,找我們沒錯(cuò)!對有長期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
東芝半導(dǎo)體公司完整型號:2SK879-GR(TE85L,F)
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:JFET N-CH USM
系列:-
FET 類型:N 溝道
電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):-
漏源極電壓 (Vdss):-
不同 Vds (Vgs=0) 時(shí)的電流 - 漏極 (Idss):2.6mA @ 10V
漏極電流 (Id) - 最大值:-
不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):400mV @ 100nA
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):8.2pF @ 10V
電阻 - RDS(開):-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應(yīng)商器件封裝:USM
功率 - 最大值:100mW