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GT10G131(TE12L,Q)
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東芝半導體公司完整型號:GT10G131(TE12L,Q)

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:IGBT 400V 1W 8-SOIC

系列:-

IGBT 類型:-

電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):-

Current - Collector Pulsed (Icm):200A

不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.3V @ 4V, 200A

功率 - 最大值:1W

Switching Energy:-

輸入類型:標準

Gate Charge:-

25°C 時 Td(開/關)值:3.1μs/2μs

Test Condition:-

反向恢復時間 (trr):-

封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)

安裝類型:表面貼裝

供應商器件封裝:8-SOP(5.5x6.0)


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