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RN1110MFV(TL3,T)
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):RN1110MFV(TL3,T)

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

系列:-

晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓

電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

電阻器 - 基底 (R1) (Ω):4.7k

電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω):-

不同 Ic、Vce 時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1mA,5V

不同 Ib、Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,5mA

電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)

頻率 - 躍遷:-

功率 - 最大值:150mW

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:SOT-723

供應(yīng)商器件封裝:VESM


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