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東芝半導(dǎo)體公司完整型號：SSM3J112TU(TE85L)

制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage

描述：MOSFET P-CH 30V 1.1A UFM

系列：-

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：1.1A（Ta）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：390 毫歐 @ 500mA，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 100μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：86pF @ 15V

功率 - 最大值：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：3-SMD，扁平引線

供應(yīng)商器件封裝：UFM