- 產(chǎn)品型號:SSM3J114TU(T5L,T)
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:UFM
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
SSM3J114TU(T5L,T) >>> 東芝半導(dǎo)體芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供東芝半導(dǎo)體公司SSM3J114TU(T5L,T)報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購SSM3J114TU(T5L,T)?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
東芝半導(dǎo)體公司完整型號:SSM3J114TU(T5L,T)
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
系列:-
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅(qū)動
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):1.8A(Ta)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):149 毫歐 @ 600mA,4V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):7.7nC @ 4V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):331pF @ 10V
功率 - 最大值:500mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:3-SMD,扁平引線
供應(yīng)商器件封裝:UFM