- 產(chǎn)品型號:SSM3J306T(TE85L,F)
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:TSM
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
SSM3J306T(TE85L,F) >>> 東芝半導(dǎo)體芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供東芝半導(dǎo)體公司SSM3J306T(TE85L,F)報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購SSM3J306T(TE85L,F)?不再猶豫,找我們沒錯!對有長期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
東芝半導(dǎo)體公司完整型號:SSM3J306T(TE85L,F)
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
系列:-
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):2.4A(Ta)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):117 毫歐 @ 1A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):2.5nC @ 15V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):280pF @ 15V
功率 - 最大值:700mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝:TSM