- 產(chǎn)品型號(hào):SSM6J502NU,LF(T
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠(chǎng)封裝:6-UDFN
- 功能類(lèi)別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):SSM6J502NU,LF(T
制造廠(chǎng)家名稱(chēng):Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
系列:-
FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):6A(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):23.1 毫歐 @ 4A,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):24.8nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1800pF @ 10V
功率 - 最大值:1W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商器件封裝:6-UDFN (2x2)