- 產(chǎn)品型號(hào):SSM6P49NU,LF
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:6-WDFN
- 功能類(lèi)別:FET - 陣列
- 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A
SSM6P49NU,LF >>> 東芝半導(dǎo)體芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供東芝半導(dǎo)體公司SSM6P49NU,LF報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)SSM6P49NU,LF?不再猶豫,找我們沒(méi)錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性?xún)r(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào): SSM6P49NU,LF
制造廠家名稱(chēng): Toshiba Semiconductor and Storage
功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A
系列: -
FET 類(lèi)型: 2 個(gè) P 溝道(雙)
FET 功能: 邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 4A
不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值): 45 毫歐 @ 3.5A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 1.2V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 6.74nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 480pF @ 10V
功率 - 最大值: 1W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-WDFN 裸露焊盤(pán)
供應(yīng)商器件封裝: 6-UDFN(2x2)