- 產(chǎn)品型號(hào):TC58BYG2S0HBAI6
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:67-VFBGA
- 功能類(lèi)別:存儲(chǔ)器
- 功能描述:EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67VFBGA
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào): TC58BYG2S0HBAI6
制造廠家名稱(chēng): Toshiba Semiconductor and Storage
功能總體簡(jiǎn)述: EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67VFBGA
系列: Benand
格式 - 存儲(chǔ)器: EEPROMs - 串行
存儲(chǔ)器類(lèi)型: EEPROM - NAND
存儲(chǔ)容量: 4G(512M x 8)
速度: 25ns
接口: 并聯(lián)
電壓 - 電源: 1.7 V ~ 1.95 V
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 67-VFBGA
供應(yīng)商器件封裝: 67-VFBGA(6.5x8)