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東芝半導(dǎo)體公司完整型號: TJ9A10M3,S4Q(M

制造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage

功能總體簡述: MOSFET P-CH 100V 9A TO220SIS-3

系列: -

FET 類型: MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）: 100V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 9A（Ta）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 170 毫歐 @ 4.5A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 47nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 2900pF @ 10V

功率 - 最大值: 19W

安裝類型: 通孔

封裝/外殼: TO-220-3 整包

供應(yīng)商器件封裝: TO-220SIS