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TK12Q60W,S1VQ
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東芝半導體公司完整型號:TK12Q60W,S1VQ

制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK

系列:-

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:超級結

漏源極電壓 (Vdss):600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):11.5A(Ta)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):340 毫歐 @ 5.8A, 10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 600μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):25nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):890pF @ 300V

功率 - 最大值:100W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak

供應商器件封裝:I-Pak


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