- 產品型號:TK16J60W,S1VQ
- 制 造 商:東芝半導體(Toshiba)
- 出廠封裝:TO-3P
- 功能類別:單端場效應管
- 功能描述:MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
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東芝半導體公司完整型號:TK16J60W,S1VQ
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:超級結
漏源極電壓 (Vdss):600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):15.8A(Ta)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):190 毫歐 @ 7.9A, 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 790μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):38nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1350pF @ 300V
功率 - 最大值:130W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
供應商器件封裝:TO-3P(N)