- 產(chǎn)品型號(hào):TK30A06N1,S4X
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠(chǎng)封裝:TO-220SIS
- 功能類(lèi)別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):TK30A06N1,S4X
制造廠(chǎng)家名稱(chēng):Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
系列:-
FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):30A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):15 毫歐 @ 15A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 200μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):16nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1050pF @ 30V
功率 - 最大值:25W
安裝類(lèi)型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝:TO-220SIS