- 產(chǎn)品型號(hào):TK7Q60W,S1VQ
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:I-Pak
- 功能類(lèi)別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3
TK7Q60W,S1VQ >>> 東芝半導(dǎo)體芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供東芝半導(dǎo)體公司TK7Q60W,S1VQ報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)TK7Q60W,S1VQ?不再猶豫,找我們沒(méi)錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):TK7Q60W,S1VQ
制造廠家名稱(chēng):Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3
系列:-
FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):600V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):7A(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):600 毫歐 @ 3.5A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 350μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):15nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):490pF @ 300V
功率 - 最大值:60W
安裝類(lèi)型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短截引線,IPak
供應(yīng)商器件封裝:I-Pak