- 產(chǎn)品型號(hào):TPC6006-H(TE85L,F)
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:VS-6
- 功能類別:單端場效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):TPC6006-H(TE85L,F)
制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
系列:-
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):3.9A(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):75 毫歐 @ 1.9A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):4.4nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):251pF @ 10V
功率 - 最大值:-
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝:VS-6(2.9x2.8)