- 產(chǎn)品型號(hào):TPN2010FNH,L1Q
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:8-TSON高級(jí)
- 功能類(lèi)別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):TPN2010FNH,L1Q
制造廠家名稱(chēng):Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
系列:-
FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):250V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):5.6A(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):198 毫歐 @ 2.8A, 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 200μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):7nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):600pF @ 100V
功率 - 最大值:39W
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝:8-TSON高級(jí)