- 產(chǎn)品型號(hào):TPWR8503NL,L1Q
- 制 造 商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba)
- 出廠封裝:8-DSOP
- 功能類(lèi)別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
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東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):TPWR8503NL,L1Q
制造廠家名稱(chēng):Toshiba Semiconductor and Storage
描述:MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
系列:-
FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):150A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):0.85 毫歐 @ 50A, 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):74nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):6900pF @ 15V
功率 - 最大值:800mW
安裝類(lèi)型:表面貼裝
封裝/外殼:8-PowerWDFN
供應(yīng)商器件封裝:8-DSOP Advance