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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào)：SI4447DY-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：3.3A（Ta）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：72 毫歐 @ 4.5A，15V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：14nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：805pF @ 20V

功率 - 最大值：1.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SO