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SI4493DY-T1-GE3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI4493DY-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):10A(Ta)

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):7.75 毫歐 @ 14A,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):110nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-

功率 - 最大值:1.5W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝:8-SO


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