- 產(chǎn)品型號(hào):SI7431DP-T1-E3
- 制 造 商:Vishay(威世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:PowerPAK
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
SI7431DP-T1-E3 >>> Vishay芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Vishay公司SI7431DP-T1-E3報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)SI7431DP-T1-E3?不再猶豫,找我們沒(méi)錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI7431DP-T1-E3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
系列:TrenchFET
FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss):200V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):2.2A(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):174 毫歐 @ 3.8A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):135nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.9W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:PowerPAK SO-8
供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK SO-8