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SIA429DJT-T1-GE3
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SIA429DJT-T1-GE3

制造商:Vishay Siliconix

描述:MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

系列:TrenchFET

FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平柵極,1.5V 驅(qū)動

漏源極電壓 (Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):12A(Tc)

不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):20.5 毫歐 @ 6A,4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):62nC @ 8V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1750pF @ 10V

功率 - 最大值:19W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:PowerPAK SC-70-6

供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK SC-70-6 單


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