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Vishay威世半導體原廠型號：SIS435DNT-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：30A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：5.4 毫歐 @ 13A， 4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：180nC @ 8V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5700pF @ 10V

功率 - 最大值：39W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK 1212-8

供應商器件封裝：PowerPAK 1212-8