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Vishay威世半導體原廠型號：SIS902DN-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

系列：TrenchFET

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：75V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：4A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：186 毫歐 @ 3A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：6nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：175pF @ 38V

功率 - 最大值：15.4W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK 1212-8 雙

供應商器件封裝：PowerPAK 1212-8 Dual