- 產(chǎn)品型號(hào):VS-GB100LP120N
- 制 造 商:Vishay(威世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:INT-A-PAK
- 功能類(lèi)別:IGBT模塊
- 功能描述:IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
VS-GB100LP120N >>> Vishay芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Vishay公司VS-GB100LP120N報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)VS-GB100LP120N?不再猶豫,找我們沒(méi)錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性?xún)r(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):VS-GB100LP120N
制造商:Vishay Semiconductor Diodes Division
描述:IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
系列:-
IGBT 類(lèi)型:-
配置:?jiǎn)我?/p>
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200A
功率 - 最大值:658W
不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):1.8V @ 15V,100A(標(biāo)準(zhǔn))
電流 - 集電極截止(最大值):1mA
不同 Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):7.43nF @ 25V
輸入:標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻:無(wú)
安裝類(lèi)型:底座安裝
封裝/外殼:INT-A-Pak
供應(yīng)商器件封裝:INT-A-PAK